丝法等制作的薄膜，有不少的多晶和微晶，其中也含有一定的非晶态膜。在 薄膜的生长过程中还存在有大量的晶格缺陷态和局部的内应力。
薄膜生成时的基板温度越低，薄膜中的点缺陷，特别是空位的密度越 大，有的达到O.lat.%。由于空位密度非常大，而且由于杂质和应变的存 在，薄膜内空位的状态不一定是确定的，因此空位的产生、消失和移动的激 活能分布在能谱上的跨越是相当宽的。例如，薄膜的温度即使保持在室温， 但慢慢消失的空位仍然是存在的。这意味着，受空位影响的物质，例如电导 率等，会隨着时间而发生变化。如此，空位的存在和物性的不稳定性密切相 关。
空位在产生、移动的过程中，由于和其他空位合并会生长成大的空位。 由2个、3个单空位合并而形成的空位称为双空位和三空位。更大尺寸的空 位称为空洞，多见于由PVD法制作的无机化合物薄膜中。
点缺陷的另一种类型是杂质。在薄膜的生成过程中，杂质多数是由周围 环境气氛混入薄膜之中的。特别是在溅射镀膜法中，放电气体混入膜层的量 很大。如果在基片上加负偏压，就会促进放电气体向薄膜中混人。实验结杲 表明，对于Ar、Kr等惰性气体，混人量（at.%)可达百分之几，氧等活性 气体可达10at.%。在高温下，大部分惰性气体会通过扩散越过薄膜表面而 释放掉。另外，薄膜中的气体是否以点缺陷的形式存在还没有确实的证据， 也可能形成空洞，也可能存在于晶粒边界。
和点缺陷相比，薄膜中也存在有大量的位错。实验结果表明：薄膜中的 位错容易发生在岛状膜的凝结过程，最大位错密度为10lc>Cm_2左右，位错容 易发生相互缠绕现象，不可螺旋位错能贯通至薄膜表面。位错穿过表面的部 分，在表面上产生运动所需的能量很高，从而处于所谓钉扎状态。因此，和 大块材料中的位错相比，薄膜中的位错相对来说难于运动，在力学、热力学 上是较为稳定的，由此薄膜的抗拉强度比大块材料要略高一些。而且，位错 也难于通过退火来消除，与位错相关的内耗也难于通过加热而发生变化。
薄膜在与它自身不同的物质上生成时，多数要发生成核过程。在通常的 情况下，基片上的点缺陷、线缺陷、吸附物、生成薄膜的原子发生碰撞形成 的原子对等都会成为形核的核心，再由这些晶核生长而成为薄膜的晶粒。一 般情况下，由于晶核的数量非常大，所以薄膜中的晶粒和大块材料中的晶粒 相比要小些。假如薄膜生成时的温度升高，由于晶粒长大和再结晶等引起原子重新排布，从而使晶粒的尺寸也会增加。但由于薄膜中比大块材料中的杂 质多，会妨碍上述原子的重新排布，所以一般说来，薄膜中的晶粒达不到大 块材料中晶粒的大小。薄膜中晶粒的大小，最大也只不过和膜层的厚度相 近。因此薄膜中的晶界多，这种情况对物性造成的影响能引起电导率增加、 原子扩散系数增加等。
除了上述缺陷之外，在薄膜中还发现了层错四面体、位错环等几种不同 特征的缺陷。
